Electronic structure and hyperfine interactions in dichalcogenides CrxVSe2 (x ≤ 0.5)): 51V NMR study

Issue number 1 from 22.02.2026

Выполнено систематическое исследование электронной структуры интеркалированного хромом дихалькогенида ванадия Cr_xVSe₂ (x ≤ 0.5) с помощью рентгеновской дифрактометрии, магнитной восприимчивости и спектроскопии ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах ⁵¹V. Определены значения компонент тензоров магнитного сдвига и градиента электрического поля в месте расположения ядер ванадия. При внедрении ионов хрома в матрицу VSe₂ спектр ЯМР на ядрах ⁵¹V значительно уширяется, тонкая структура исчезает, а сдвиг линии меняет свой знак относительно диамагнитной точки. Выявлена существенная локальная зарядовая и спиновая неоднородность интеркалированных соединений. Установлено, что перекрытие 3d-, 4s-оболочек ионов ванадия и орбиталей хрома приводит к появлению на ядрах ванадия наведенного от магнитных моментов хрома положительного сверхтонкого поля. Из температурных зависимостей сдвига линии ЯМР и восприимчивости в Cr_xVSe₂ (x ≤ 0.5) сделаны оценки констант сверхтонкого взаимодействия на ионах ванадия. В соединениях Cr_xVSe₂ (0.1 ≤ x ≤ 0.5) обнаружены признаки формирования сверхструктуры позиций ионов хрома в плоскости ab.

29 0

Magnetic state of vanadium in chalcogenide V7Se8

Issue number 2 from 22.02.2026

Выполнено исследование структурных и магнитных свойств халькогенида V₇Se₈ с помощью рентгеновской дифрактометрии, измерений намагниченности и спектроскопии ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах ⁵¹V. Обнаружено упорядочение вакансий в катионных слоях ванадия с образованием суперструктуры 4С-типа. Оценено значение эффективного магнитного момента ионов ванадия, равное μ_эфф = 0.35 m_В. Выявлены существенные локальные зарядовые и магнитные неоднородности соединения V₇Se₈. Из температурных зависимостей магнитного сдвига линии ЯМР ⁵¹V и восприимчивости χ(T) в V₇Se₈ оценена константа сверхтонкого взаимодействия в ионах ванадия. Совместный анализ данных по сдвигам линии ЯМР и скорости спин-решеточной релаксации ⁵¹V показал, что 3d-электроны ванадия находятся в коллективизированном состоянии. В то же время с понижением температуры в системе V₇Se₈ развиваются антиферромагнитные корреляции между магнитными моментами ванадия в соседних слоях.

23 0

Charge and spin density distribution in VSe2 dichalcogenide according to NMR 51V data

Issue number 2 from 22.02.2026

Выполнено исследование поликристаллического образца VSe₂ с использованием методов магнитометрии и спектроскопии ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах ⁵¹V. Из обработки спектров ЯМР, зарегистрированных в диапазоне температур от 10 K до 300 K, определены значения компонентов тензоров магнитного сдвига и градиента электрического поля (ГЭП) в месте расположения ядер ванадия. Обнаружено, что валентный вклад в ГЭП противоположно направлен решеточному вкладу. При температурах ниже T₀ ≈ 110 K линия ЯМР ⁵¹V испытывает значительное неоднородное уширение, что связано с переходом в состояние с волной зарядовой плотности (ВЗП). Из данных об уширении линии ЯМР ⁵¹V определены изменения квадрупольной частоты n_Q, являющейся характеристикой распределения зарядовой плотности вблизи ядер ⁵¹V. Совместный анализ температурных зависимостей сдвига линии ЯМР и магнитной восприимчивости позволил оценить сверхтонкие магнитные поля на ядрах ванадия в VSe₂ в состоянии с ВЗП. Получена оценка разности спиновой поляризации различных 3d-орбиталей иона V, которая соответствует плотности электронных состояний с энергией чуть ниже уровня Ферми.

20 0