Методом магнетронного напыления изготовлены наноструктуры типа спиновый клапан с планарной магнитной анизотропией, малой величиной поля взаимодействия между свободным и референтным слоем и буферным слоем β-Та. В микрообъектах на основе спиновых клапанов реализовано переключение между высоко- и низкорезистивным состояниями, инициированное импульсом тока и обусловленное передачей спин-орбитального крутящего момента. Показано, что полный поворот магнитного момента свободного слоя CoFe, соседствующего со слоем β-Та, происходит при циклическом изменении силы тока в импульсе. Необходимая для переключения плотность тока составила j ≈ 3·10 А/м.
Indexing
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation