Выполнено исследование поликристаллического образца VSe2 с использованием методов магнитометрии и спектроскопии ядерного магнитного резонанса (ЯМР) на ядрах 51V. Из обработки спектров ЯМР, зарегистрированных в диапазоне температур от 10 K до 300 K, определены значения компонентов тензоров магнитного сдвига и градиента электрического поля (ГЭП) в месте расположения ядер ванадия. Обнаружено, что валентный вклад в ГЭП противоположно направлен решеточному вкладу. При температурах ниже T0 ≈ 110 K линия ЯМР 51V испытывает значительное неоднородное уширение, что связано с переходом в состояние с волной зарядовой плотности (ВЗП). Из данных об уширении линии ЯМР 51V определены изменения квадрупольной частоты nQ, являющейся характеристикой распределения зарядовой плотности вблизи ядер 51V. Совместный анализ температурных зависимостей сдвига линии ЯМР и магнитной восприимчивости позволил оценить сверхтонкие магнитные поля на ядрах ванадия в VSe2 в состоянии с ВЗП. Получена оценка разности спиновой поляризации различных 3d-орбиталей иона V, которая соответствует плотности электронных состояний с энергией чуть ниже уровня Ферми.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation