Статьи автора

Влияние облучения ионами НЕ+ на ширину интерфейсов в тонкопленочных CO/PT терагерцовых спинтронных источниках

Номер выпуска 2 от 07.10.2025

Экспериментально исследована структурная модификация границ раздела слоев в двухслойных Co/Pt-спинтронных терагерцовых эмиттерах при облучении ионами Не⁺ с флюенсами от 10¹⁴ до 10¹⁶ см^-2. С помощью неразрушающего метода малоугловой рентгеновской рефлектометрии был обнаружен рост ширины интерфейса Co/Pt от 1.2 нм (исходный образец) до 1.9 нм. Экспериментальные данные находятся в хорошем соответствии с результатами моделирования с использованием программы SRIM. Проведенные магнитооптические измерения показали, что образцы сохраняют свои магнитные свойства при всех флюенсах. Полученные результаты могут быть использованы для увеличения эффективности терагерцовой генерации в таких структурах.

35 0